キラルイミンのジアステレオ選択的転化方法

专利摘要:
式（Ｉ）のキラルイミンの、式（Ｉ）、（ＩＩ）のアミン［式中、残基Ｒ1〜Ｒ4は、明細書に定める意味を有し、Ｒ1およびＲ2は、水素および不均一銅含有触媒の存在下で転化される式（Ｉ）のイミンにより互いに異なる］へのジアステレオ選択的転化。
公开号:JP2011507814A
申请号:JP2010538580
申请日:2008-12-10
公开日:2011-03-10
发明作者:ジーゲル ヴォルフガング；ハーン ティロ；シュテープ トビアス
申请人:ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ；
IPC主号:C07C209-52

专利说明:

[0001] 本発明は、式Ｉのキラルイミンを式ＩＩのアミンに



［式中、
Ｒ1およびＲ2はそれぞれ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ3−Ｃ6−シクロアルキル、Ｃ2−Ｃ6−アルケニル、Ｃ2−Ｃ6−アルキニル、Ｃ2−Ｃ6−ハロアルケニル、Ｃ2−Ｃ6−ハロアルキニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、Ｃ3−Ｃ6−アルケニルオキシカルボニル、Ｃ3−Ｃ6−アルキニルオキシカルボニル、アミノカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノカルボニル、Ｃ3−Ｃ6−アルケニルアミノカルボニル、Ｃ3−Ｃ6−アルキニルアミノカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルキルスルホニルアミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ3−Ｃ6−アルケニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ3−Ｃ6−アルキニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ3−Ｃ6−アルケニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ3−Ｃ6−アルキニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）アミノカルボニル、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノチオカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノチオカルボニル、またはＣ1−Ｃ6−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルキル
（ここで、前記アルキル基、シクロアルキル基およびアルコキシ基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／または以下の基（すなわち、シアノ、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ3−Ｃ6−シクロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルチオ、アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニルアミノ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキルアミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノカルボニル、またはＣ1−Ｃ4−アルキルカルボニルオキシ）の内の１〜３個を担持してもよい）、
アリール、アリール−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−アルキニル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−ハロアルケニル、アリール−Ｃ3−Ｃ4−ハロアルキニル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、アリールカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールスルフィニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルキニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−ハロアルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ3−Ｃ4−ハロアルキニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、ヘテロシクリルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル−カルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルフィニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル
（ここで、前記基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ6−ヒドロキシアルキル、ヒドロキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、ヒドロキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、アミノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルスルホニルアミノ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキルスルホニルアミノ、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニルアミノ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよい）
であり
（但し、Ｒ1基およびＲ2基は互いに異なる）；
Ｒ3はＣ1−Ｃ6−アルキルであり；
Ｒ4は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ6−ヒドロキシアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよいアリールであり；
ならびに
＊はＳまたはＲ立体配置を表し、および
＊＊はＳおよび／またはＲ立体配置を表す］、
式Ｉのイミンを水素および不均一銅含有触媒の存在下で転化することにより、ジアステレオ選択的に転化する方法に関する。]
[0002] 水素の存在下で、キラリティを有するイミノ窒素上の置換基であるキラルイミンをジアステレオ選択的に転化して、酸化白金、パラジウム担持炭素などの存在下で対応するアミンを得る方法については、文献でしばしば説明されている。ＥＰ４４３６０６では、光学活性を有する１−フェニルエチルアミンを４−（４−メトキシフェニル）−２−ブタノンと反応させた後、パラジウム担持炭素の存在下で水素により水素化する方法について記載されている（実施例４）。]
[0003] また、キラリティを有するイミノ窒素上の置換基であるイミンを対応するアミンにジアステレオ選択的に水素化する方法は、ニッケル骨格触媒（Ｒａｎｅｙ（登録商標）型）の存在下で行うことができることも知られている。同様に、ＥＰ４４３６０６では、光学活性を有する１−フェニルエチルアミンを４−（４−メトキシフェニル）−２−ブタノンと反応させた後、Ｒａｎｅｙニッケルの存在下で水素により水素化する方法について記載されている（実施例１Ｂ）。]
[0004] これらの方法における短所は、水素化のジアステレオ選択性が低いことがある点、および／またはニッケル骨格触媒（Ｒａｎｅｙ（登録商標）型）を除去することが困難である点である。]
[0005] さらに、ＷＯ０１／０９０８０では、環状ケトンを対応するイミンとアキラルなアミンと反応させた後、後者を銅含有触媒、とりわけ銅クロマイトの存在下で触媒水素化に供することにより、セルトラリン型の環状アミンをシス選択的に製造する方法について記載されている。]
[0006] 本発明の目的は、上述の短所を持たない一般的に適用可能な方法であって、このようにキラリティを有するイミノ窒素上の置換基であるキラルイミンを対応するアミンにジアステレオ選択的に転化する方法を提供することであった。]
[0007] 上記の目的に従い、式Ｉのキラルイミンを式ＩＩのアミンと反応させるに当たってのジアステレオ選択性および／または転化率は、ニッケル、コバルトおよび／または亜鉛を含みかつさらに銅も含む不均一触媒を使用する場合に向上させることができることが明らかにされている。]
[0008] 本発明の方法は、式Ｉ［式中、イミノ窒素上の置換基（−Ｃ*ＨＲ3Ｒ4）は、ＲまたはＳ立体配置のいずれかである］のキラルイミンから始める。]
[0009] 一般的に、反応は溶媒内で行われるが、とりわけ式Ｉのイミンが反応温度で液体である場合は、反応を物質内で行うことも可能である。使用する溶媒は、反応条件下で不活性の溶媒、例えば、アルコール類（例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、エチレングリコール、プロピレングリコールなど）、芳香族炭化水素類（例えば、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなど）、塩素化炭化水素類（例えば、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロメタン、クロロベンゼンなど）、エーテル類（例えば、ジエチルエーテル、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、双極性非プロトン性溶媒（例えば、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなど）、またはこれらの混合物である。アルコール（例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、エチレングリコール、プロピレングリコールなど、好ましくはメタノール、エタノールまたはイソプロパノール）、または芳香族炭化水素（例えば、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなど、好ましくはトルエンまたはエチルベンゼン）、またはこれらの混合物内で反応を行うのが好ましい。]
[0010] 溶媒に対するイミンの質量比は、広い範囲内で変化する場合がある。この比率は、典型的には０．０１％〜９９％、好ましくは０．１％〜９５％、とりわけ１％〜９０％、より好ましくは１０％〜７０％、ひときわ好ましくは１５〜６０％の範囲内にある。]
[0011] 反応は、典型的には室温から反応混合物の還流温度まで、一般的には室温から２００℃までの温度で行われる。]
[0012] 反応は、一般的には標準圧力から２００バール、好ましくは４０〜１５０バール、とりわけ５０〜１００バールの圧力で行われる。圧力は所望の圧力まで段階的にまたは連続的に増加させることが可能である。]
[0013] 水素、または水素を含むガス流の水素は、完全または部分的に反応させることができる。後者の場合は、場合によりこのガス流を部分的または完全に再利用するか、あるいはこのガス流を再循環させるのが有利な場合もある。使用する銅含有触媒を反応前に活性化させる場合は、このガス流をこの目的に使用することもできる。]
[0014] 典型的には、工業銘柄品質の水素が使用される。しかし、水素を含む気体の形態として、すなわち、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴンまたは二酸化炭素（好ましくは、窒素またはアルゴン）などの不活性気体の混合物として、水素を使用することも可能である。]
[0015] 本発明の反応は、不均一銅含有触媒の存在下で行われる。]
[0016] 好ましくは、この不均一銅含有触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を０．１〜９５質量％；
ニッケル、コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも１種の金属を０．１〜８５質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜１５質量％
（但し、質量％の合計は１００％を超えない）
含む。]
[0017] 一般的に、不均一銅含有触媒は担体物質を含む。有用な担体物質としては、例えば活性炭素、黒鉛もしくはカーボンブラックなどの炭素、または多孔質金属酸化物が挙げられる。適切な多孔質金属酸化物の例は、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、アルミノ珪酸塩、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、またはこれらの混合物であり、好ましくは酸化アルミニウム、二酸化チタンまたは二酸化ジルコニウムである。しかし、担体物質として、リン酸アルミニウム、ムライト、珪藻土、ボーキサイトおよびアルミン酸カリウムを使用することも可能である。]
[0018] 具体的には、不均一銅含有触媒の上述の触媒活性金属および助触媒（該当する場合）の全質量は、その全質量に対して、多くても９５質量％、好ましくは多くても９０質量％である。]
[0019] さらなる一実施形態において、この不均一銅含有触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を１〜９０質量％；
ニッケル、コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも１種の金属を０．１〜８０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜１５質量％
含む。]
[0020] 具体的には、この不均一銅含有触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜８５質量％；
ニッケル、コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも１種の金属を０．１〜８０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜１５質量％
含む。]
[0021] さらなる一実施形態において、この不均一銅含有触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜５０質量％；
ニッケルおよびコバルトの群から選択される少なくとも１種の金属を０〜３０質量％；
亜鉛を０．５〜５０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0022] 好ましくは、この不均一銅含有触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を５〜４０質量％；
ニッケルおよびコバルトの群から選択される少なくとも１種の金属を０〜３０質量％；
亜鉛を５〜５０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0023] 具体的には、この不均一銅含有触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を１０〜３５質量％；
ニッケルおよびコバルトの群から選択される少なくとも１種の金属を０〜３０質量％；
亜鉛を１０〜４５質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0024] より好ましくは、この不均一銅含有触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を１０〜３５質量％；
亜鉛を１０〜４０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0025] この銅含有触媒は、とりわけ好ましくは、触媒活性金属として銅およびニッケルのみを、触媒の全質量に対して、とりわけいずれの場合も（但しそれぞれ別々に）５〜５０質量％、より好ましくは１０〜４５質量％、とりわけ好ましくは２０〜４０質量％含む。担体物質は、好ましくは多孔質金属酸化物、とりわけ酸化アルミニウム、二酸化チタンまたは二酸化ジルコニウムである。]
[0026] さらなる一実施形態において、この不均一銅含有触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜５０質量％；
ニッケルを０．１〜７０質量％；
コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも１種の金属を０〜３０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0027] 好ましくは、この不均一銅含有触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜４０質量％；
ニッケルを１〜６５質量％；
コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも１種の金属を０〜１０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0028] 具体的には、この不均一銅含有触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜２５質量％；
ニッケルを３〜６０質量％；
コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも１種の金属を０〜１０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0029] より好ましくは、この不均一銅含有触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜２５質量％；
ニッケルを３〜５０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒、好ましくはモリブデンを０〜５質量％
含む。]
[0030] この銅触媒は、好ましくは、触媒活性金属として銅およびニッケルのみを、触媒の全質量に対して、とりわけいずれの場合も（但しそれぞれ別々に）２〜１５質量％、より好ましくは２〜１０質量％、とりわけ好ましくは３〜８質量％含む。担体物質は、好ましくは多孔質金属酸化物、とりわけ酸化アルミニウム、二酸化チタンまたは二酸化ジルコニウムである。]
[0031] 同様に好ましくは、この銅触媒は、触媒活性金属または助触媒として銅、ニッケルおよびモリブデンのみを、触媒の全質量に対して、とりわけ２〜２５質量％（銅）、２０〜６０質量％（ニッケル）、０．０１〜５質量％（モリブデン）、より好ましくは５〜２０質量％（銅）、３０〜５０質量％（ニッケル）、０．１〜２質量％（モリブデン）、とりわけ好ましくは１０〜１５質量％（銅）、３５〜４５質量％（ニッケル）、０．５〜１．５質量％（モリブデン）含む。担体物質は、好ましくは多孔質金属酸化物、とりわけ酸化アルミニウム、二酸化チタンまたは二酸化ジルコニウムである。]
[0032] さらなる一実施形態において、この不均一銅含有触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜４０質量％；
ニッケルおよびコバルトの群から選択される少なくとも１種の金属を０．１〜８０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0033] 好ましくは、この不均一銅含有触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜４０質量％；
ニッケルを０．１〜４０質量％；
コバルトを０．１〜４０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0034] とりわけ、この不均一銅含有触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜３０質量％；
ニッケルを０．５〜３５質量％；
コバルトを０．５〜３５質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0035] より好ましくは、この不均一銅含有触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜２０質量％；
ニッケルを１〜３０質量％；
コバルトを１〜３０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0036] 好ましくは、この銅触媒は、触媒活性金属として銅、ニッケルおよびコバルトのみを、触媒の全質量に対して、とりわけ２〜２５質量％（銅）および１〜３５質量％（いずれの場合もニッケルおよび／またはコバルトをそれぞれ別個に）、より好ましくは２〜２０質量％（銅）および１０〜３０質量％（いずれの場合もニッケルおよび／またはコバルトをそれぞれ別個に）、とりわけ好ましくは５〜１５質量％（銅）および１５〜２５質量％（いずれの場合もニッケルおよび／またはコバルトをそれぞれ別個に）含む。担体物質は、好ましくは多孔質金属酸化物、とりわけ酸化アルミニウム、二酸化チタンまたは二酸化ジルコニウムである。]
[0037] 同様にとりわけ、この銅含有触媒は、触媒活性金属として銅、ニッケルおよびコバルトのみを、触媒の全質量に対して、より好ましくは２〜１０質量％（銅）および２〜５質量％（いずれの場合もニッケルおよび／またはコバルトをそれぞれ別個に）、とりわけ好ましくは２〜５質量％（銅）および２〜５質量％（いずれの場合もニッケルおよび／またはコバルトをそれぞれ別個に）含む。担体物質は、好ましくは多孔質金属酸化物、とりわけ酸化アルミニウム、二酸化チタンまたは二酸化ジルコニウムである。]
[0038] さらなる一実施形態において、この不均一銅含有触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜４０質量％；
コバルトを０．１〜８０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜１５質量％
含む。]
[0039] 具体的には、この不均一銅含有触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜２０質量％；
コバルトを２〜２０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0040] より好ましくは、この不均一銅含有触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜１５質量％；
コバルトを２〜１５質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0041] この銅含有触媒は、好ましくは、触媒活性金属として銅およびコバルトのみを、触媒の全質量に対して、とりわけいずれの場合も（但しそれぞれ別々に）２〜１５質量％、より好ましくは３〜１０質量％、とりわけ好ましくは３〜８質量％含む。担体物質は、好ましくは多孔質金属酸化物、とりわけ酸化アルミニウム、二酸化チタンまたは二酸化ジルコニウムである。]
[0042] さらなる一実施形態において、この不均一銅含有触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を５〜４０質量％；
コバルトを２０〜８０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜１５質量％
含む。]
[0043] より好ましくは、この不均一銅含有触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を１０〜２５質量％；
コバルトを４０〜７０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒、好ましくはモリブデン、マンガンおよびリンを０．１〜１５質量％
含む。]
[0044] この銅含有触媒は、好ましくは、触媒活性金属または助触媒として銅、コバルト、モリブデンおよびマンガンのみを、触媒の全質量に対して、とりわけ５〜４０質量％（銅）、３０〜８０質量％（コバルト）および０．１〜１５質量％（いずれの場合もモリブデン、マンガンおよびリンをそれぞれ別個に）、より好ましくは１０〜３５質量％（銅）、４０〜７５質量％（コバルト）および０．５〜１５質量％（いずれの場合もモリブデン、マンガンおよびリンをそれぞれ別個に）、とりわけ好ましくは１２〜２５質量％（銅）、４５〜６０質量％（コバルト）および０．５〜１５質量％（いずれの場合もモリブデン、マンガンおよびリンをそれぞれ別個に）を含む。具体的な実施形態において、この触媒は非担持触媒である。]
[0045] 触媒は、典型的には５０〜１５０ｍ2／ｇ、好ましくは７０〜１３０ｍ2／ｇ、とりわけ７５〜１２０ｍ2／ｇのＢＥＴ表面積（ＤＩＮ６６１３１により決定）を有する。触媒の細孔容積（ＤＩＮ６６１３３によるＨｇポロシメトリーにより決定）は、一般的には０．１〜０．４ｍＬ／ｇ、好ましくは０．１５〜０．３５ｍＬ／ｇ、とりわけ０．１５〜０．３ｍＬ／ｇである。]
[0046] しかし、触媒は、通例の方法でも製造することができる（Ａ．Ｆａｒｋａｓ，ｉｎ Ｕｌｌｍａｎｎ’ｓ Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｒｅｌｅａｓｅ ２０００，ｃｈａｐｔｅｒｓ ５．３，５．４，５．６ ｔｏ ５．１０）。]
[0047] 例えば、仮焼時に特定の担体の酸化物に転化される対応する化合物から、担体を製造することが可能である。この目的には、とりわけ水酸化物、炭酸塩およびカルボン酸塩が適切である。酸化物、あるいは仮焼時に特定の担体の酸化物に転化される対応する前駆体は、それ自体が既知の方法、例えばゾル−ゲル法、沈殿、対応するカルボン酸塩の脱水、乾燥混合、スラリー化または噴霧乾燥により製造することができる。沈殿の場合、典型的には、アルミニウム、チタン、ジルコニウムなどの可溶性塩、例えば対応するハロゲン化物、好ましくは塩化物、アルコキシド、硝酸塩など、好ましくはアルミニウム、チタン、ジルコニウムなどの硝酸塩が使用される。さらには、通例の方法により安定剤を担体に組み込むことも可能である。同様に、担体の成形を容易にする助剤、例えば黒鉛またはステアリン酸を担体に組み込むことも可能であり、この後に成形が行われる。一般的に、押出物、錠剤、球体、破砕片、モノリスなどは、通例の方法により製造される。]
[0048] 仮焼は、典型的には３００〜８００℃、好ましくは５００〜６００℃の温度で、空気または空気と窒素の混合気を用いて行われる。空気または空気／窒素混合気に水蒸気を加えるのが有利な場合がある。]
[0049] 次いで、本発明の触媒活性金属および／または助触媒を担体に塗布することができる。典型的には、担体を、対応する金属前駆体もしくは助触媒前駆体の溶液に含浸させるか、または前記溶液で飽和させる。含浸は初期湿潤法により行うことができるが、その場合は、担体の多孔質容積をほとんど同じ容積の含浸溶液で満たし—該当する場合は熟成後に—担体を乾燥させるか；あるいは過剰の溶液が使用されるが、この場合、この溶液の体積は、担体の多孔質容積よりも多くなる。この場合は、担体を含浸溶液と混合し、十分な期間撹拌する。過剰な含浸溶液は振盪、遠心分離または濾過により除去する。場合により、酸、内性塩または塩基を添加することが、含浸／飽和を容易にする場合もある。場合により、担体の十分な含浸は、例えば、含浸／飽和内に溶液を加熱するか、表面活性物質を添加するか、または担体を排気することにより達成することができる。さらに、適切な前駆体の溶液を担体に噴霧することも可能である。この場合は、適切な担体を適切な金属前駆体および／または助触媒前駆体の溶液で処理するが、これは、担体が前記溶液を吸収するように行う。]
[0050] しかし、当業者に既知のその他の製造方法、例えば化学蒸着、ゾル含浸なども可能である。]
[0051] 適切な金属前駆体は、ハロゲン化物、とりわけ塩化物、硝酸塩、酢酸塩、アルカリ性炭酸塩、ギ酸塩、シュウ酸塩、クエン酸塩、酒石酸塩を含めた、対応する可溶性金属塩である。]
[0052] 金属前駆体および／または助触媒前駆体は、上述の方法で一緒にまたは連続して塗布することができる。また、ここでは特定の手順を順守するのが有利な場合もある。]
[0053] しかし、当業者に既知のその他の製造方法、例えば化学蒸着、ゾル含浸なども可能である。]
[0054] 次いで、本発明の触媒活性金属前駆体を塗布した担体を仮焼する。仮焼は、典型的には３００〜８００℃、好ましくは４００〜６００℃の温度で、空気または空気と窒素の混合気を用いて行われる。空気または空気／窒素混合気に水蒸気を加えるのが有利な場合がある。]
[0055] 仮焼後、不均一銅含有触媒は、粉砕により特定の粒径に調整するか、または粉砕した後、黒鉛またはステアリン酸などの成形助剤と混合して、タブレット圧縮機により圧縮物に圧縮し、熱処理することにより適切に調整される。熱処理温度は、一般的に仮焼における温度に対応する。]
[0056] しかし、沈澱法を用いることにより不均一銅含有触媒を製造することも可能であり、例えば、難溶性の酸素含有担体前駆体化合物または担体自体のスラリーの存在下で、金属および／または助触媒前駆体を、これらの金属／助触媒を含む塩水溶液から鉱物塩基により共沈させた後、得られた沈殿物を洗浄、乾燥および仮焼することにより得ることも可能である。]
[0057] 使用する難溶性の酸素含有担体前駆体化合物または担体自体は、例えば酸化物、オキシ水和物、リン酸塩、ホウ酸塩およびケイ酸塩であってもよく、例えば酸化物、オキシ水和物、リン酸塩、ホウ酸塩およびケイ酸塩であってもよく、例えば二酸化ジルコニウム、酸化ジルコニウム水和物、リン酸ジルコニウム、ホウ酸ジルコニウムおよびケイ酸ジルコニウム、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、アルミニウムオキシ水和物、二酸化チタン、ならびにこの目的に適切でかつ当業者に既知のさらなる化合物であってもよい。]
[0058] 難溶性の担体前駆体化合物または担体自体のスラリーは、激しく撹拌しながらこれらの担体前駆体化合物または担体自体の微粉を水に懸濁させることにより製造することができる。これらのスラリーは、難溶性の担体前駆体化合物を塩水溶液から鉱物塩基により沈殿させることによって製造するのが有利である。]
[0059] 具体的に、本発明の不均一銅含有触媒は、当該触媒の成分すべてを共沈させることによって製造される。これを行うためには、触媒成分を含む塩水溶液を、高温条件下で、水性の鉱物塩基、とりわけアルカリ金属塩基（例えば、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウムまたは水酸化カリウム）とともに、沈殿が完了するまで撹拌しながら適切に混合する。使用する塩の種類は通常重要ではなく、というのも、この手順において重要な要素は主に塩の水溶性であるため、これらの比較的高濃度の塩溶液を製造するのに必要となる優れた水溶性が基準となっている。個々の成分の塩を選択するに当たっては、当然ながら、望ましくない沈殿を生じることによってか、または錯体形成により沈殿を複雑化または阻害することによって分解を生じないアニオンを有する塩のみが選択されることが明らかであると考えられる。]
[0060] これらの沈殿反応において得られた沈殿物は、一般的には、化学的に不均一であり、とりわけ使用する金属／助触媒の酸化物、酸化物水和物、水酸化物、炭酸塩ならびに不溶性および塩基性塩の混合物から構成される。このことは、沈殿物が熟成される場合、すなわち、該当する場合は高温条件下か空気を流しながら、沈殿後に一定期間沈殿物が静置される場合に、沈殿物の濾過性に好ましいことが明らかになる場合がある。]
[0061] これらの沈殿方法により得られた沈殿物を通常通りさらに処理して、本発明の不均一銅含有触媒を得る。洗浄後、当該触媒を、一般的には８０〜２００℃、好ましくは１００〜１５０℃で乾燥させた後、仮焼する。仮焼（熱処理）は、一般的には３００〜８００℃、好ましくは４００〜６００℃、とりわけ４５０〜５５０℃の温度で行われる。]
[0062] 仮焼後、不均一銅含有触媒は、粉砕により特定の粒径に調整するか、または粉砕した後、黒鉛またはステアリン酸などの成形助剤と混合して、タブレット圧縮機により圧縮物に圧縮し、熱処理することにより適切に調整される。熱処理温度は、一般的に仮焼における温度に対応する。]
[0063] このように得られた不均一銅含有触媒は、これらの酸素化合物の混合物の形態で、すなわち、より具体的には酸化物および混合酸化物の形態で、触媒活性金属／助触媒を含む。]
[0064] このように得られた不均一銅含有触媒は、このように保存することができる。]
[0065] このようにして得られた触媒は、式Ｉの化合物のジアステレオ選択的水素化で使用する前に活性化することができる。これを行うためには、１００〜３００℃の温度で水素または水素と窒素の混合気で当該触媒を処理する。この場合は、水素／窒素混合気内の水素含有量が少ない状態から始め、活性化方法の過程で連続してまたは段階的に水素含有量を増加させるのが有利な場合がある。前還元は、例えば、最初に窒素／水素雰囲気内で１２〜２０時間にわたり１５０〜２００℃で行った後、水素雰囲気内でさらに最長約２４時間にわたり２００〜３００℃で継続することができる。]
[0066] 触媒の活性化は、一般的には、本発明の水素化を行う反応器で行われるが、当該反応器に設置する前に触媒の活性化を行うことも可能である。]
[0067] 触媒は、典型的には、本発明の水素化において還元型で使用される。この状況では、還元型で存在する触媒をもう一度活性化するのが有利な場合もある。これを行うためには、水素または水素と不活性気体（例えば、窒素）との混合気を用いて、室温から３００℃、好ましくは１５０〜３００℃の温度で、ならびに１０〜６０バール、好ましくは最高５０バールの水素圧で、当該触媒を処理する。この状況では、不活性気体を含まない水素を用いて活性化するのが有利な場合もあるが、水素と不活性気体の混合気を用いて活性化する（その場合、最初に水素／不活性気体混合気を用いて始め、活性化方法の過程で連続して水素含有量を増加させる）のが有利な場合もある。]
[0068] しかし、さらなる事前の活性化を行うことなく式Ｉのイミンのｄｉａｓｅｌｅｃｔｉｖｅ水素化を行うに当たって、触媒を酸化物型または還元型で使用することも可能である。]
[0069] 本発明の方法は、一括して行うこともできれば、半連続的に行うことも、または連続して行うことも可能である。]
[0070] 一括した方法では、例えば、濾過などを行い、沈殿させて液相を除去することによるか、または遠心分離により、触媒を除去することによって、通例の方法で反応混合物を生成し、こうして得られた濾液、上清または遠心分離物から、例えば蒸留することにより溶媒を除去する。本発明の水素化は、当業者に既知の水素化反応器で行われる。反応器の例としては、いわゆるスラリー反応器、トリクルベッド反応器、および気泡塔が挙げられる（Ｐ．Ｎ．Ｒｙｌａｎｄｅｒ，Ｕｌｌｍａｎｎ’ｓ Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ，Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｒｅｌｅａｓｅ ２００７，ｃｈａｐｔｅｒ：Ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｄｅｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｉｏｎ，ｐ．２−３）。]
[0071] 一般的に、式Ｉのイミンの水素化は、例えば、撹拌オートクレーブ、気泡塔、循環反応器、例えばループ反応器または固定床反応器にて液相内で行われる。固定床反応器は、液相モードまたはトリクルモードのいずれかで操作することが可能である。]
[0072] しかし、とりわけ式Ｉのイミンが特定の揮発度を示す場合は、気相内で溶媒を用いずに水素化を行うことも可能である。この目的に適切な反応器の例としては、固定床反応器または流動床反応器である。]
[0073] 反応生成物は通例の方法で生成し、精製することが可能である。この目的に有用な方法の例としては、蒸留、液体抽出および／または結晶化がある。]
[0074] 本発明の方法で得られた式ＩＩの化合物は、０．７０を超える、好ましくは０．９を超える、とりわけ０．９５を超える、ひときわ好ましくは０．９８を超えるジアステレオマー比を有する（ジアステレオマー比が、所望のジアステレオマーと所望でないジアステレオマーのモル比である場合）。さらに高いジアステレオマー比を達成するのが望ましい場合は、本発明の方法で得られた式ＩＩの化合物のジアステレオマー比を、既知の方法、例えば再結晶により増加させることができる。]
[0075] ジアステレオマー比は、当業者に既知の通例の方法で決定することが可能であり、典型的には、回転を介して間接的に決定されるか、あるいはガスクロマトグラフィまたは液体クロマトグラフィにより直接決定される。決定は直接行うこともできれば、標的化合物の適切な誘導体を介して行うこともできる。]
[0076] 触媒は、本発明の方法で再利用することが可能である。]
[0077] 式Ｉの化合物は既知のものであるか、あるいは文献の方法で製造することができる。]
[0078] 例えば、式ＩＩＩのケトンを式ＩＶのアミンと反応させることによって式Ｉの化合物を得ることが可能である



［式中、Ｒ1基〜Ｒ4基はそれぞれ、式Ｉの化合物について定義した通りである］。]
[0079] 典型的には、式ＩＩＩのケトンおよび式ＩＶのアミンは、化学量論量で使用される。場合により、いずれか一方の反応物を過剰に使用するのが有利な場合もある。一般的に、反応は溶媒内で行われる。適切な溶媒としては、不活性溶媒、例えば、アルコール類、エーテル類、炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類等であり、とりわけ水を含む共沸混合物（例えばトルエンまたはエチルベンゼン）を形成し、それによって反応で形成した水を除去することができるものがある。使用する反応物の内の１種が水との共沸混合物を形成する場合は、この反応物を過剰に使用することが可能であり、また形成した水を共沸により除去することができる。これは、さらなる溶媒の存在下または非存在下で行うことができる。さらに、場合により、触媒量の酸、例えばｐ−トルエンスルホン酸を添加するのが有利な場合もある。反応は、不均一触媒、例えば、酸化アルミニウム、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、酸化ケイ素または粘土鉱物（例えばモンモリロナイト）の存在下で行うこともできる。]
[0080] 場合によっては、反応で放出された水をモレキュラーシーブで除去するのが有利な場合もあれば、あるいは、反応で形成した水を蒸留により除去するのが有利な場合もある。反応は、典型的には室温から反応混合物の還流温度までの温度で行われる。反応混合物は、当業者に既知の方法で生成される。]
[0081] 上述の反応では、式ＩＶのキラルアミンの代わりに、対応するラセミ体を使用することも可能である。反応および（該当する場合は）生成が完了したら、当業者に既知の方法でラセミ体の分離を行うことができる。]
[0082] 式Ｉの化合物は、式Ｖのアルキンを式ＩＶのアミンと反応させることによって得ることもできる。]
[0083] ]
[0084] Ｒ2基〜Ｒ4基の定義は、式Ｉの化合物について定めたものに対応する。また、Ｒ1'−ＣＨ2は、それと適合するＲ1の定義を表す。同じことはＲ1'にも当てはまる。]
[0085] 典型的には、式Ｖのアルキンおよび式ＩＶのアミンは、化学量論比で使用されるが、式Ｖのアルキンを過剰に使用するのが有利な場合がある。反応は、一般的には室温から反応混合物の還流温度までで、不活性溶媒（例えば、エーテル、炭化水素、ハロゲン化炭化水素類など、またはこれらの混合物）内で行われる。反応は、一般的には標準圧力で行われるが、場合により、高圧、好ましくは１０〜２００バールの範囲で反応を行うのが有利な場合もある。反応の完了後、当業者に既知の方法で生成が行われる。]
[0086] 上述の反応では、式ＩＶのキラルアミンの代わりに、対応するラセミ体を使用することも可能である。反応および（該当する場合は）生成が完了したら、当業者に既知の方法でラセミ体の分離を行うことができる。]
[0087] 同様に、式ＶＩＩのニトロソ化合物を式ＶＩのリンイリドと反応させることによって式Ｉのイミンを製造することも可能である。]
[0088] ]
[0089] Ｒ1基〜Ｒ4基はそれぞれ、式Ｉの化合物で定義した通りである。]
[0090] 典型的には、式ＶＩのリンイリドおよび式ＶＩＩのニトロソ化合物は、化学量論比で使用されるが、場合により、いずれか一方の反応成分を過剰にまたは不足して使用するのが有利な場合もある。反応は、一般的には室温から反応混合物の還流温度までで、不活性溶媒（例えば、エーテル、炭化水素、ハロゲン化炭化水素など、またはこれらの混合物）内で行われる。反応は、一般的には標準圧力で行われる。反応の完了後、当業者に既知の方法で生成が行われる。]
[0091] 上述の反応では、式ＶＩＩのキラルニトロソ化合物の代わりに、対応するラセミ体を使用することも可能である。反応および（該当する場合は）生成が完了したら、当業者に既知の方法でラセミ体の分離を行うことができる。]
[0092] 式Ｉのイミンの製造は、連続して行うこともできれば、半連続的に行うことも、一括して行うことも可能である。]
[0093] 本発明の方法では、式Ｉのイミンまたは式ＩＩのアミンを使用することが好ましく、ここで基はそれぞれ別個に以下の通りに定義される：
Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ3−Ｃ6−シクロアルキル、Ｃ2−Ｃ6−アルケニル、Ｃ2−Ｃ6−アルキニル、Ｃ2−Ｃ6−ハロアルケニル、Ｃ2−Ｃ6−ハロアルキニル、またはＣ1−Ｃ6−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルキル
（ここで、前記アルキル基、シクロアルキル基およびアルコキシ基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／または以下の基（すなわち、シアノ、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ3−Ｃ6−シクロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルチオ、アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ）の内の１〜３個を担持してもよい）、
アリール、アリール−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−アルキニル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−ハロアルケニル、アリール−Ｃ3−Ｃ4−ハロアルキニル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、アリールカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールスルフィニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、
ヘテロシクリル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルキニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−ハロアルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ3−Ｃ4−ハロアルキニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、ヘテロシクリルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルフィニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル
（ここで、前記基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ6−ヒドロキシアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、アミノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルスルホニルアミノ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキルスルホニルアミノ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよい）
であり；
Ｒ3はＣ1−Ｃ4−アルキル、好ましくはメチルであり；
Ｒ4は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよいアリールである；
具体的に、本発明の方法では、式Ｉのイミンが使用されるか、または式ＩＩのアミンが製造され、ここで基はそれぞれ別個に以下の通りに定義される：
Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルまたはＣ3−Ｃ6−シクロアルキル（ここで、前記アルキル基またはシクロアルキル基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／または以下の基（すなわち、シアノ、ヒドロキシル、Ｃ3−Ｃ6−シクロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルチオ、アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニルアミノ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキルアミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノカルボニル、またはＣ1−Ｃ4−アルキルカルボニルオキシ）の内の１〜３個を担持してもよい）であり、
とりわけ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルまたはＣ3−Ｃ6−シクロアルキル（ここで、前記アルキル基またはシクロアルキル基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／または以下の基（すなわち、シアノ、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルチオ、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノカルボニル、またはＣ1−Ｃ4−アルキルカルボニルオキシ）の内の１〜３個を担持してもよい）、
同様にとりわけ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルまたはＣ3−Ｃ6−シクロアルキル（ここで、前記アルキル基またはシクロアルキル基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／または以下の基（すなわち、シアノ、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノカルボニル、またはＣ1−Ｃ4−アルキルカルボニルオキシ）の内の１〜３個を担持してもよい）、
より好ましくは、Ｃ1−Ｃ6−アルキル（ここで、前記アルキル基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／または以下の基（すなわち、シアノ、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノカルボニル、またはＣ1−Ｃ4−アルキルカルボニルオキシ）の内の１〜３個を担持してもよい）、
ひときわ好ましくは、Ｃ1−Ｃ6−アルキル；
フェニル、フェニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニル−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、フェニル−Ｃ2−Ｃ4−アルキニル、フェニル−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、フェニル−Ｃ2−Ｃ4−ハロアルケニル、フェニル−Ｃ3−Ｃ4−ハロアルキニル、フェニル−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、フェニルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルスルフィニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、
ヘテロシクリル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルキニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−ハロアルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ3−Ｃ4−ハロアルキニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、ヘテロシクリルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルフィニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル（ここで、前記基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ6−ヒドロキシアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、ヒドロキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、アミノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルスルホニルアミノ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキルスルホニルアミノ、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニルアミノ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよい）；
とりわけ、フェニル、フェニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニル−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、フェニル−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、フェニル−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、フェニルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、
ヘテロシクリル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、ヘテロシクリルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル
（ここで、前記基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ6−ヒドロキシアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、ヒドロキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニルアミノ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよい）；
より好ましくは、フェニル、フェニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニル−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、フェニルカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、
ヘテロシクリル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、ヘテロシクリルカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル
（ここで、前記基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよい）
であり；
Ｒ3はＣ1−Ｃ4−アルキル、好ましくはメチルであり；
Ｒ4は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよいアリール、
好ましくは、フェニルまたは１−ナフチルである。]
[0094] 本発明の方法では、式Ｉのイミンを使用するか、または式ＩＩのアミンを製造するのが特に好ましく、ここで基はそれぞれ別個に以下の通りに定義される：
Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルまたはＣ3−Ｃ6−シクロアルキル（ここで、前記アルキル基またはシクロアルキル基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／または以下の基（すなわち、シアノ、ヒドロキシル、Ｃ3−Ｃ6−シクロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルチオ、アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニルアミノ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキルアミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノカルボニル、またはＣ1−Ｃ4−アルキルカルボニルオキシ）の内の１〜３個を担持してもよい）、
とりわけ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルまたはＣ3−Ｃ6−シクロアルキル（ここで、前記アルキル基またはシクロアルキル基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／または以下の基（すなわち、シアノ、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルチオ、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノカルボニル、またはＣ1−Ｃ4−アルキルカルボニルオキシ）の内の１つを担持してもよい）、
同様にとりわけ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルまたはＣ3−Ｃ6−シクロアルキル（ここで、前記アルキル基またはシクロアルキル基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／または以下の基（すなわち、シアノ、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノカルボニル、またはＣ1−Ｃ4−アルキルカルボニルオキシ）の内の１〜３個を担持してもよい）、
より好ましくは、Ｃ1−Ｃ6−アルキル（ここで、前記アルキル基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／または以下の基（すなわち、シアノ、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノカルボニル、またはＣ1−Ｃ4−アルキルカルボニルオキシ）の内の１〜３個を担持してもよい）、
ひときわ好ましくは、Ｃ1−Ｃ6−アルキルであり；
Ｒ3はＣ1−Ｃ4−アルキル、好ましくはメチルであり；
Ｒ4は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよいアリール、
好ましくは、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよいフェニルまたは１−ナフチル、
とりわけフェニルまたは１−ナフチルである。]
[0095] 同様に、本発明の方法では、式Ｉのイミンを使用するか、または式ＩＩのアミンを製造するのが特に好ましく、ここで基はそれぞれ別個に以下の通りに定義される：
Ｒ1は、Ｃ1−Ｃ6−アルキルまたはＣ3−Ｃ6−シクロアルキル（ここで、前記アルキル基またはシクロアルキル基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／または以下の基（すなわち、シアノ、ヒドロキシル、Ｃ3−Ｃ6−シクロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルチオ、アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニルアミノ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキルアミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノカルボニル、またはＣ1−Ｃ4−アルキルカルボニルオキシ）の内の１〜３個を担持してもよい）、
とりわけ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルまたはＣ3−Ｃ6−シクロアルキル（ここで、前記アルキル基またはシクロアルキル基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／または以下の基（すなわち、シアノ、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルチオ、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノカルボニル、またはＣ1−Ｃ4−アルキルカルボニルオキシ）の内の１つを担持してもよい）、
同様にとりわけ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルまたはＣ3−Ｃ6−シクロアルキル（ここで、前記アルキル基またはシクロアルキル基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／または以下の基（すなわち、シアノ、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノカルボニル、またはＣ1−Ｃ4−アルキルカルボニルオキシ）の内の１〜３個を担持してもよい）、
より好ましくは、Ｃ1−Ｃ6−アルキル（ここで、前記アルキル基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／または以下の基（すなわち、シアノ、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノカルボニル、またはＣ1−Ｃ4−アルキルカルボニルオキシ）の内の１〜３個を担持してもよい）、
ひときわ好ましくは、Ｃ1−Ｃ6−アルキルであり；
Ｒ2は、アリール、アリール−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−アルキニル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−ハロアルケニル、アリール−Ｃ3−Ｃ4−ハロアルキニル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、アリールカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールスルフィニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、
ヘテロシクリル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルキニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−ハロアルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ3−Ｃ4−ハロアルキニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、ヘテロシクリルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルフィニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル（ここで、前記基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ6−ヒドロキシアルキル、ヒドロキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、ヒドロキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、アミノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルスルホニルアミノ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキルスルホニルアミノ、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニルアミノ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよい）；
好ましくは、フェニル、フェニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニル−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、フェニル−Ｃ2−Ｃ4−アルキニル、フェニル−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、フェニル−Ｃ2−Ｃ4−ハロアルケニル、フェニル−Ｃ3−Ｃ4−ハロアルキニル、フェニル−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、フェニルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルスルフィニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルキニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−ハロアルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ3−Ｃ4−ハロアルキニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、ヘテロシクリルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルフィニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル（ここで、前記基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ6−ヒドロキシアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、ヒドロキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、アミノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルスルホニルアミノ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキルスルホニルアミノ、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニルアミノ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよい）；
とりわけ、フェニル、フェニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニル−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、フェニル−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、フェニル−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、フェニルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、
ヘテロシクリル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、ヘテロシクリルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル
（ここで、前記基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ6−ヒドロキシアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、ヒドロキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニルアミノ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよい）；
より好ましくは、フェニル、フェニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニル−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、フェニルカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、
ヘテロシクリル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、ヘテロシクリルカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル
（ここで、前記基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよい）
であり；
Ｒ3はＣ1−Ｃ4−アルキル、好ましくはメチルであり；
Ｒ4は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよいアリール、
好ましくは、フェニルまたは１−ナフチルである。]
[0096] 式ＩＩのアミンは、それ自体が既知の方法で、式ＶＩＩＩ



［式中、Ｒ1基およびＲ2基はそれぞれ、式Ｉの化合物について定義した通りである］
のキラルアミンに水素化分解により開裂することができる。]
[0097] 典型的には、この水素化分解は、不活性溶媒、例えば、アルコール（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノールもしくはブタノール）、エーテル（例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン）、炭化水素（例えば、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼンもしくはキシレン）、またはこれらの混合物内で行われる。水素化分解は、触媒量の白金族金属元素の存在下で、好ましくはＰｔ／Ｃ、Ｐｄ／ＣまたはＰｄ／Ａｌ2Ｏ3上で、より好ましくはＰｄ／ＣまたはＰｄ／Ａｌ2Ｏ3上で、水素により行うことができる。この場合、水素は一般的には過剰に使用される。反応は、一般的には室温から反応混合物の還流温度までで、かつ標準圧力から２００バールの圧力までで行われる。反応が終了したら、当業者に既知の方法で反応混合物を生成する。]
[0098] しかし、金属水素化物、例えば、水素化アルミニウムリチウム、ボロン酸ナトリウム、シアノボロン酸ナトリウム、ジボランなどによって水素化分解を行うことも可能である。この場合、反応物は、一般的には化学量論比で使用される。場合により、金属水素化物を過剰に使用するのが有利な場合もある。反応は、一般的には室温から反応混合物の還流温度までで、標準圧力で行われる。反応が終了したら、当業者に既知の方法で反応混合物を生成する。]
[0099] 式ＩＩのアミンの水素化分解は、一括して行うこともできれば、半連続的に行うことも、または連続して行うことも可能である。]
[0100] 式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＶＩおよびＶＩＩＩの化合物のＲ1基およびＲ2基、ならびに式Ｖの化合物のＲ1'基は、置換パターンによって、さらなるキラル内心も担持する。これらの化合物もまた本発明の主題に含まれる。]
[0101] 置換基Ｒ1〜Ｒ4について、またはフェニル環、アリール環、ヘテロアリール環もしくはヘテロシクリル環などの上の基として特定される有機分子部分は、特定の基のメンバーの個々の一覧の集合名を構成する。]
[0102] すべての炭化水素鎖は、直鎖であってもよければ、分枝鎖であってもよい。]
[0103] 特に明記しない限り、ハロゲン化置換基は、好ましくは１〜５個の同じまたは異なるヘテロ原子を担持する。各場合における「ハロゲン」という定義は、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素を表す。]
[0104] さらなる定義の例としては、以下がある：
−アリール：６〜１４個の環員を有する単環式〜三環式の芳香族炭素環、例えばフェニル、ナフチルおよびアントラセニル、好ましくはフェニル、ナフチル；
−ヘテロシクリル：３〜６個の環員を有し、かつ炭素原子の他に、１〜４個の窒素原子を、または１〜３個の窒素原子と１個の酸素原子もしくは硫黄原子を、または１〜３個の酸素原子を、または１〜３個の硫黄原子を含んでもよく、かつ例えば炭素原子または窒素原子を介して結合されてもよい、単環式、飽和または部分不飽和の炭化水素、
例えば、２−オキシラニル、２−オキセタニル、３−オキセタニル、２−アジリジニル、３−チエタニル、１−アゼチジニル、２−アゼチジニル、
例えば、２−テトラヒドロフラニル、３−テトラヒドロフラニル、２−テトラヒドロチエニル、３−テトラヒドロチエニル、２−ピロリジニル、３−ピロリジニル、３−イソオキサゾリジニル、４−イソオキサゾリジニル、５−イソオキサゾリジニル、３−イソチアゾリジニル、４−イソチアゾリジニル、５−イソチアゾリジニル、３−ピラゾリジニル、４−ピラゾリジニル、５−ピラゾリジニル、２−オキサゾリジニル、４−オキサゾリジニル、５−オキサゾリジニル、２−チアゾリジニル、４−チアゾリジニル、５−チアゾリジニル、２−イミダゾリジニル、４−イミダゾリジニル、１，２，４−オキサジアゾリジン−３−イル、１，２，４−オキサジアゾリジン−５−イル、１，２，４−チアジアゾリジン−３−イル、１，２，４−チアジアゾリジン−５−イル、１，２，４−トリアゾリジン−３−イル、１，３，４−オキサジアゾリジン−２−イル、１，３，４−チアジアゾリジン−２−イル、１，３，４−トリアゾリジン−２−イル、１，２，３，４−テトラゾリジン−５−イル；
例えば、１−ピロリジニル、２−イソチアゾリジニル、２−イソチアゾリジニル、１−ピラゾリジニル、３−オキサゾリジニル、３−チアゾリジニル、１−イミダゾリジニル、１，２，４−トリアゾリジン−１−イル、１，２，４−オキサジアゾリジン−２−イル、１，２，４−オキサジアゾリジン−４−イル、１，２，４−チアジアゾリジン−２−イル、１，２，４−チアジアゾリジン−４−イル、１，２，３，４−テトラゾリジン−１−イル、
例えば、２，３−ジヒドロフル−２−イル、２，３−ジヒドロフル−３−イル、２，４−ジヒドロフル−２−イル、２，４−ジヒドロフル−３−イル、２，３−ジヒドロチエン−２−イル、２，３−ジヒドロチエン−３−イル、２，４−ジヒドロチエン−２−イル、２，４−ジヒドロチエン−３−イル、４，５−ジヒドロピロール−２−イル、４，５−ジヒドロピロール−３−イル、２，５−ジヒドロピロール−２−イル、２，５−ジヒドロピロール−３−イル、４，５−ジヒドロイソオキサゾール−３−イル、２，５−ジヒドロイソオキサゾール−３−イル、２，３−ジヒドロイソオキサゾール−３−イル、４，５−ジヒドロイソオキサゾール−４−イル、２，５−ジヒドロイソオキサゾール−４−イル、２，３−ジヒドロイソオキサゾール−４−イル、４，５−ジヒドロイソオキサゾール−５−イル、２，５−ジヒドロイソオキサゾール−５−イル、２，３−ジヒドロイソオキサゾール−５−イル、４，５−ジヒドロイソチアゾール−３−イル、２，５−ジヒドロイソチアゾール−３−イル、２，３−ジヒドロイソチアゾール−３−イル、４，５−ジヒドロイソチアゾール−４−イル、２，５−ジヒドロイソチアゾール−４−イル、２，３−ジヒドロイソチアゾール−４−イル、４，５−ジヒドロイソチアゾール−５−イル、２，５−ジヒドロイソチアゾール−５−イル、２，３−ジヒドロイソチアゾール−５−イル、２，３−ジヒドロピラゾール−２−イル、２，３−ジヒドロピラゾール−３−イル、２，３−ジヒドロピラゾール−４−イル、２，３−ジヒドロピラゾール−５−イル、３，４−ジヒドロピラゾール−３−イル、３，４−ジヒドロピラゾール−４−イル、３，４−ジヒドロピラゾール−５−イル、４，５−ジヒドロピラゾール−３−イル、４，５−ジヒドロピラゾール−４−イル、４，５−ジヒドロピラゾール−５−イル、２，３−ジヒドロイミダゾール−２−イル、２，３−ジヒドロイミダゾール−３−イル、２，３−ジヒドロイミダゾール−４−イル、２，３−ジヒドロイミダゾール−５−イル、４，５−ジヒドロイミダゾール−２−イル、４，５−ジヒドロイミダゾール−４−イル、４，５−ジヒドロイミダゾール−５−イル、２，５−ジヒドロイミダゾール−２−イル、２，５−ジヒドロイミダゾール−４−イル、２，５−ジヒドロイミダゾール−５−イル、２，３−ジヒドロオキサゾール−３−イル、２，３−ジヒドロオキサゾール−４−イル、２，３−ジヒドロオキサゾール−５−イル、３，４−ジヒドロオキサゾール−３−イル、３，４−ジヒドロオキサゾール−４−イル、３，４−ジヒドロオキサゾール−５−イル、２，３−ジヒドロチアゾール−３−イル、２，３−ジヒドロチアゾール−４−イル、２，３−ジヒドロチアゾール−５−イル、３，４−ジヒドロチアゾール−３−イル、３，４−ジヒドロチアゾール−４−イル、３，４−ジヒドロチアゾール−５−イル、３，４−ジヒドロチアゾール−２−イル、３，４−ジヒドロチアゾール−３−イル、３，４−ジヒドロチアゾール−４−イル、
例えば、４，５−ジヒドロピロール−１−イル、２，５−ジヒドロピロール−１−イル、４，５−ジヒドロイソオキサゾール−２−イル、２，３−ジヒドロイソオキサゾール−１−イル、４，５−ジヒドロイソチアゾール−１−イル、２，３−ジヒドロイソチアゾール−１−イル、２，３−ジヒドロピラゾール−１−イル、４，５−ジヒドロピラゾール−１−イル、３，４−ジヒドロピラゾール−１−イル、２，３−ジヒドロイミダゾール−１−イル、４，５−ジヒドロイミダゾール−１−イル、２，５−ジヒドロイミダゾール−１−イル、２，３−ジヒドロオキサゾール−２−イル、３，４−ジヒドロオキサゾール−２−イル、２，３−ジヒドロチアゾール−２−イル、３，４−ジヒドロチアゾール−２−イル；
例えば、２−ピペリジニル、３−ピペリジニル、４−ピペリジニル、１，３−ジオキサン−２−イル、１，３−ジオキサン−４−イル、１，３−ジオキサン−５−イル、１，４−ジオキサン−２−イル、１，３−ジチアン−２−イル、１，４−ジチアン−３−イル、１，３−ジチアン−４−イル、１，４−ジチアン−２−イル、２−テトラヒドロピラニル、３−テトラヒドロピラニル、４−テトラヒドロピラニル、２−テトラヒドロチオピラニル、３−テトラヒドロチオピラニル、４−テトラヒドロチオピラニル、３−ヘキサヒドロピリダジニル、４−ヘキサヒドロピリダジニル、２−ヘキサヒドロピリミジニル、４−ヘキサヒドロピリミジニル、５−ヘキサヒドロピリミジニル、２−ピペラジニル、１，３，５−ヘキサヒドロトリアジン−２−イル、１，２，４−ヘキサヒドロトリアジン−３−イル、テトラヒドロ−１，３−オキサジン−２−イル、テトラヒドロ−１，３−オキサジン−６−イル、２−モルホリニル、３−モルホリニル、１，３，５−トリオキサン−２−イル；
例えば、１−ピペリジニル、１−ヘキサヒドロピリダジニル、１−ヘキサヒドロピリミジニル、１−ピペラジニル、１，３，５−ヘキサヒドロトリアジン−１−イル、１，２，４−ヘキサヒドロトリアジン−１−イル、テトラヒドロ−１，３−オキサジン−１−イル、１−モルホリニル；
例えば、２Ｈ−ピラン−２−イル、２Ｈ−ピラン−３−イル、２Ｈ−ピラン−４−イル、２Ｈ−ピラン−５−イル、２Ｈ−ピラン−６−イル、３，６−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン−２−イル、３，６−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン−３−イル、３，６−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン−４−イル、３，６−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン−５−イル、３，６−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン−６−イル、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン−３−イル、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン−４−イル、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン−６−イル、２Ｈ−チオピラン−２−イル、２Ｈ−チオピラン−３−イル、２Ｈ−チオピラン−４−イル、２Ｈ−チオピラン−５−イル、２Ｈ−チオピラン−６−イル、５，６−ジヒドロ−４Ｈ−１，３−オキサジン−２−イル；
ならびにヘテロアリール。]
[0105] −ヘテロアリール：５〜１０個の環員を有し、かつ炭素原子の他に、１〜４個の窒素原子を、または１〜３個の窒素原子と１個の酸素原子もしくは１個の硫黄原子を、または１個の酸素原子もしくは１個の硫黄原子を含む、単環式または二環式の芳香族ヘテロアリール、
例えば、単環、例えば、フリル（例えば、２−フリル、３−フリル）、チエニル（例えば、２−チエニル、３−チエニル）、ピロリル（例えば、ピロール−２−イル、ピロール−３−イル）、ピラゾリル（例えば、ピラゾール−３−イル、ピラゾール−４−イル）、イソオキサゾリル（例えば、イソオキサゾール−３−イル、イソオキサゾール−４−イル、イソオキサゾール−５−イル）、イソチアゾリル（例えば、イソチアゾール−３−イル、イソチアゾール−４−イル、イソチアゾール−５−イル）、イミダゾリル（例えば、イミダゾール−２−イル、イミダゾール−４−イル）、オキサゾリル（例えば、オキサゾール−２−イル、オキサゾール−４−イル、オキサゾール−５−イル）、チアゾリル（例えば、チアゾール−２−イル、チアゾール−４−イル、チアゾール−５−イル）、オキサジアゾリル（例えば、１，２，３−オキサジアゾール−４−イル、１，２，３−オキサジアゾール−５−イル、１，２，４−オキサジアゾール−３−イル、１，２，４−オキサジアゾール−５−イル、１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）、チアジアゾリル（例えば、１，２，３−チアジアゾール−４−イル、１，２，３−チアジアゾール−５−イル、１，２，４−チアジアゾール−３−イル、１，２，４−チアジアゾール−５−イル、１，３，４−チアジアゾリル−２−イル）、トリアゾリル（例えば、１，２，３−トリアゾール−４−イル、１，２，４−トリアゾール−３−イル）、テトラゾール−５−イル、ピリジル（例えば、ピリジン−２−イル、ピリジン−３−イル、ピリジン−４−イル）、ピラジニル（例えば、ピリダジン−３−イル、ピリダジン−４−イル）、ピリミジニル（例えば、ピリミジン−２−イル、ピリミジン−４−イル、ピリミジン−５−イル）、ピラジン−２−イル、トリアジニル（例えば、１，３，５−トリアジン−２−イル、１，２，４−トリアジン−３−イル、１，２，４−トリアジン−５−イル、１，２，４−トリアジン−６−イル）、テトラジニル（例えば、１，２，４，５−テトラジン−３−イル）；およびさらに、
二環、例えば、上述の単環のベンゾ縮合誘導体（例えば、キノリニル、イソキノリニル、インドリル、ベンゾチエニル、ベンゾフラニル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンズイソチアゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンゾピラゾリル、ベンゾチアジアゾリル、ベンゾトリアゾリル）；
好ましくは、
１〜４個の窒素原子を、または１〜３個の窒素原子と１個の酸素原子もしくは硫黄原子を、または１個の酸素原子もしくは硫黄原子を有する、５員環または６員環ヘテロアリール：
例えば、炭素原子を介して結合され、かつ炭素原子の他に、環員として１〜４個の窒素原子を、または１〜３個の窒素原子と１個の硫黄原子もしくは酸素原子を、または１個の硫黄原子もしくは酸素原子を含んでもよい、芳香族５員複素環（例えば、２−フリル、３−フリル、２−チエニル、３−チエニル、２−ピロリル、３−ピロリル、３−イソオキサゾリル、４−イソオキサゾリル、５−イソオキサゾリル、３−イソチアゾリル、４−イソチアゾリル、５−イソチアゾリル、３−ピラゾリル、４−ピラゾリル、５−ピラゾリル、２−オキサゾリル、４−オキサゾリル、５−オキサゾリル、２−チアゾリル、４−チアゾリル、５−チアゾリル、２−イミダゾリル、４−イミダゾリル、１，２，４−オキサジアゾール−３−イル、１，２，４−オキサジアゾール−５−イル、１，２，４−チアジアゾール−３−イル、１，２，４−チアジアゾール−５−イル、１，２，４−トリアゾール−３−イル、１，３，４−オキサジアゾール−２−イル、１，３，４−チアジアゾール−２−イル、および１，３，４−トリアゾール−２−イル）；
例えば、炭素原子を介して結合され、かつ炭素原子の他に、環員として１〜４個、好ましくは１〜３個の窒素原子を含んでもよい、芳香族６員複素環（例えば、２−ピリジニル、３−ピリジニル、４−ピリジニル、３−ピリダジニル、４−ピリダジニル、２−ピリミジニル、４−ピリミジニル、５−ピリミジニル、２−ピラジニル、１，３，５−トリアジン−２−イル、および１，２，４−トリアジン−３−イル）。]
[0106] 以下の実施例で使用する銅含有触媒を、以下の文献（ＤＥ１９８２６３９６、ＤＥ４４２８００４、ＥＰ３８３１３２およびＤＥ３７１７１１１）に記載の通りに製造した。]
[0107] 以下の実施例ＩおよびＩＩで製造した化合物のジアステレオマー比は、以下の通りに決定した：トリフルオロ酢酸による誘導体化、ＢＧＢ１７５カラムでのガスクロマトグラフィ分離。]
[0108] 以下の実施例ＩＩＩおよびＶＩで製造した化合物のジアステレオマー比は、以下の通りに決定した：トリフルオロ酢酸による誘導体化、Ｈｙｄｒｏｄｅｘ ｂｅｔａ ６−ＴＢＤＭカラムでのガスクロマトグラフィ分離。]
[0109] 以下の実施例ＶＩＩで製造した化合物のジアステレオマー比は、以下の通りに決定した：ＣＰ−ＳＩＬ１９ＣＢカラムでのガスクロマトグラフィ分離。]
[0110] 以下の実施例ＶＩＩＩで製造した化合物のジアステレオマー比は、以下の通りに決定した：ＯＶ１７０１カラムでのガスクロマトグラフィ分離。]
[0111] 以下の実施例ＩＸで製造した化合物のジアステレオマー比は、以下の通りに決定した：ＲＴＸ−５−Ａｍｉｎｅカラムでのガスクロマトグラフィ分離。]
[0112] Ｉ．一般的方法Ａ：（Ｒ）−ｓｅｃ−ブチリデン（１−フェニルエチル）アミン（２−ブタノンを有する（Ｒ）−（１−フェニルエチル）アミンのシッフ塩基）のｄｉａｓｅｌｅｃｔｉｖｅ水素化
５４０ｍｇの触媒を１５ｍＬのオートクレーブに導入して、窒素で不活性化した。次いで、触媒を５０バールの圧力で、第１表に指定した温度にて、２時間水素で前活性化した。これに続いて、窒素でパージすると同時に室温に冷却した後、５．９７ｍＬの（Ｒ）−ｓｅｃ−ブチリデン（１−フェニルエチル）アミンと１．０３ｍＬのメタノールの混合物を窒素下で添加した。次いで、約２０バールの圧力に到達するまで水素を注入し、反応混合物を１００℃に加熱した。この温度に到達したら、水素で圧力を７０バールに増大させ、１０００ｒｐｍで撹拌を開始した。これらの反応条件下で６時間が経過したら、試料を取り出し、ガスクロマトグラフィにより分析した。結果を以下の第１表に報告する。]
[0113] ]
[0114] 比較のため、同じ条件で、非担持鉄触媒（１００％酸化鉄）、銅担持二酸化チタン触媒、ニッケル担持二酸化チタン触媒およびニッケル／コバルト担持二酸化チタン触媒を用いて反応を行った。結果を第２表に示す。]
[0115] ]
[0116] 第１表および第２表からの結果の比較は、特定の銅不含触媒への銅の添加によりジアステレオ選択性が増大することを明確に示す。]
[0117] ＩＩ．一般的方法Ｂ：（Ｒ）−ｓｅｃ−ブチリデン（１−フェニルエチル）アミン（２−ブタノンを有する（Ｒ）−（１−フェニルエチル）アミンのシッフ塩基）のｄｉａｓｅｌｅｃｔｉｖｅ水素化
最初に、（Ｒ）−ｓｅｃ−ブチリデン（１−フェニルエチル）アミン（イミン）と、溶媒および不動態化触媒（第３表に指定）との混合物を、いずれの場合も３００ｍＬのオートクレーブに投入した。次いで、混合物を窒素で不活性化し、１００℃に加熱した。次いで、この温度で、水素を所望の圧力（いずれの場合も第３表に同様に指定）になるまで注入し、内圧が低下したら再度所望の圧力に戻した。水素の注入から測定した実行時間（いずれの場合も第３表に指定）が経過したら、試料を取り出し、ガスクロマトグラフィにより分析した。結果を以下の第３表に報告する。]
[0118] ]
[0119] 比較のために、同じ条件下で、Ｐｔ／Ｃ触媒を用いて反応を行った。結果を第４表に示す。本発明の試験がより高いｄｉａｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙを示すことを、本実施例は示している。]
[0120] ]
[0121] ＩＩＩ．一般的方法Ｃ：（Ｒ）−１，２−ジメチルプロピリデン（フェニルエチル）アミン（３−メチル−２−ブタノンを有する（Ｒ）−（１−フェニルエチル）アミンのシッフ塩基）のｄｉａｓｅｌｅｃｔｉｖｅ水素化
５４０ｍｇの触媒を１５ｍＬのオートクレーブに導入して、窒素で不活性化した。次いで、触媒を５０バールの圧力で、第５表に指定した温度にて、２時間水素で前活性化した。これに続いて、窒素でパージすると同時に室温に冷却した後、６．０ｍＬの（Ｒ）−１，２−ジメチルプロピリデン（フェニルエチル）アミンと１．０ｍＬのエチルベンゼンの混合物を窒素下で添加した。次いで、約２０バールの圧力に到達するまで水素を注入し、反応混合物を１００℃に加熱した。この温度に到達したら、水素で圧力を７０バールに増大させ、１０００ｒｐｍで撹拌を開始した。これらの反応条件下で３時間が経過したら、試料を取り出し、ガスクロマトグラフィにより分析した。結果を以下の第５表に報告する。]
[0122] ]
[0123] 比較のため、同じ条件で、非担持鉄触媒を用いて反応を行った。結果を第６表に示す。本発明の試験がより高いｄｉａｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙを示すことを、すべての実施例が示している。]
[0124] ]
[0125] ＩＶ．一般的方法Ｄ：（Ｒ）−１，２−ジメチルプロピリデン（フェニルエチル）アミン（３−メチル−２−ブタノンを有する（Ｒ）−（１−フェニルエチル）アミンのシッフ塩基）のｄｉａｓｅｌｅｃｔｉｖｅ水素化
最初に、（Ｒ）−１，２−ジメチルプロピリデン（１−フェニルエチル）アミン（イミン）と、溶媒および不動態化触媒（第７表に指定）との混合物を、いずれの場合もオートクレーブに投入した。次いで、混合物を窒素で不活性化し、所望の温度に加熱した。次いで、この温度で、水素を所望の圧力（いずれの場合も第７表に同様に指定）になるまで注入し、内圧が低下したら再度所望の圧力に戻した。水素の注入から測定した実行時間（いずれの場合も第７表に指定）が経過したら、試料を取り出し、ガスクロマトグラフィにより分析した。結果を以下の第７表に報告する。]
[0126] ]
[0127] Ｖ．一般的方法Ｅ：（Ｒ）−１，２−ジメチルプロピリデン−（１−フェニルエチル）アミン（３−メチル−２−ブタノンを有する（Ｒ）−（１−フェニルエチル）アミンのシッフ塩基）のｄｉａｓｅｌｅｃｔｉｖｅ水素化
最初に、連続操作した２５０ｍＬのループ反応器（長さ＝４８．５ｃｍ、直径＝２．５ｃｍ、充填深さ＝４６．５ｃｍ）に、触媒の全質量に対する金属量がそれぞれ１１／２１／２１質量％の不動態化Ｃｕ／Ｎｉ／Ｃｏ触媒を担持したＺｒＯ2を投入し、第８表に指定した３０質量％の（Ｒ）−１，２−ジメチルプロピリデン（１−フェニルエチル）アミンを含有する溶媒溶液を、第８表に指定した反応条件下で水素により連続して水素化した。試料を生成物から取り出し、ガスクロマトグラフィにより分析した。この結果を第８表に示す。]
[0128] ]
[0129] ＶＩ．一般的方法Ｆ：（Ｓ）−１，２−ジメチルプロピリデン−（１−フェニルエチル）アミン（３−メチル−２−ブタノンを有する（Ｓ）−（１−フェニルエチル）アミンのシッフ塩基）のｄｉａｓｅｌｅｃｔｉｖｅ水素化
最初に、連続操作した２５０ｍＬのループ反応器（長さ＝４８．５ｃｍ、直径＝２．５ｃｍ、充填深さ＝４６．５ｃｍ）に、触媒の全質量に対する金属量がそれぞれ１３／４０／１質量％の不動態化Ｃｕ／Ｎｉ／Ｍｏ触媒を担持したＺｒＯ2を投入し、３０質量％の（Ｓ）−１，２−ジメチルプロピリデン（１−フェニルエチル）アミンを含有するメタノール溶液を、第９表に指定した反応条件下で水素により連続して水素化した。試料を生成物から取り出し、ガスクロマトグラフィにより分析した。この結果を第９表に示す。]
[0130] ]
[0131] ＶＩＩ．一般的方法Ｇ：（Ｒ）−（１−シクロプロピリデン）（１−フェニルエチル）アミン（１−シクロプロピル−１−エタノンを有する（Ｒ）−（１−フェニルエチル）アミンのシッフ塩基）のｄｉａｓｅｌｅｃｔｉｖｅ水素化
３１５ｍｇの触媒を１５ｍＬのオートクレーブに導入して、窒素で不活性化した。次いで、触媒を５０バールの圧力で、第１０表に指定した温度にて、２時間水素で前活性化した。これに続いて、窒素でパージすると同時に室温に冷却した後、３．５ｍＬの（Ｒ）−（１−シクロプロピリデン）（１−フェニルエチル）アミンと３．５ｍＬのエチルベンゼンの混合物を窒素下で添加した。次いで、約２０バールの圧力に到達するまで水素を注入し、反応混合物を１００℃に加熱した。この温度に到達したら、水素で圧力を７０バールに増大させ、１０００ｒｐｍで撹拌を開始した。これらの反応条件下で３時間が経過したら、試料を取り出し、ガスクロマトグラフィにより分析した。結果を以下の第１０表に報告する。]
[0132] ]
[0133] 比較のため、同じ条件下で、ニッケル／コバルト担持二酸化チタン触媒を用いて反応を行った。結果を第１１表に示す。]
[0134] ]
[0135] 第１０表と第１１表の結果を比較すると、特定の銅不含触媒に銅を添加すること、同等のジアステレオ選択性でより高い転化率を達成できることが明らかになる。]
[0136] ＶＩＩＩ．一般的方法Ｈ：（Ｒ）−（１−フェニルエチリデン）（１−フェニルエチル）アミン（１−フェニル−１−エタノンを有する（Ｒ）−（１−フェニルエチル）アミンのシッフ塩基）のｄｉａｓｅｌｅｃｔｉｖｅ水素化
３１５ｍｇの触媒を１５ｍＬのオートクレーブに導入して、窒素で不活性化した。次いで、触媒を５０バールの圧力で、第１２表に指定した温度にて、２時間水素で前活性化した。これに続いて、窒素でパージすると同時に室温に冷却した後、３．５ｍＬの（Ｒ）−（１−フェニルエチリデン）（１−フェニルエチル）アミンと３．５ｍＬのエチルベンゼンの混合物を窒素下で添加した。次いで、約２０バールの圧力に到達するまで水素を注入し、反応混合物を１００℃に加熱した。この温度に到達したら、水素で圧力を７０バールに増大させ、１０００ｒｐｍで撹拌を開始した。これらの反応条件下で３時間が経過したら、試料を取り出し、ガスクロマトグラフィにより分析した。結果を以下の第１２表に報告する。]
[0137] ]
[0138] 比較のため、同じ条件下で、銅担持二酸化チタン触媒およびニッケル／コバルト担持二酸化チタン触媒を用いて反応を行った。結果を第１３表に示す。]
[0139] ]
[0140] 第１２表と第１３表の結果を比較すると、特定の銅不含触媒に銅を添加することによりジアステレオ選択性が向上することが明らかになる。]
[0141] ＩＸ．一般的方法Ｉ：（Ｒ）−１−フェニルブチリデン（１−フェニルエチル）アミン（１−フェニル−１−ブタノンを有する（Ｒ）−（１−フェニルエチル）アミンのシッフ塩基）のｄｉａｓｅｌｅｃｔｉｖｅ水素化
最初に、３５重量％の（Ｒ）−１−フェニルブチリデン（１−フェニルエチル）アミン（イミン）を含有するメタノールと不動態化触媒との混合物（第１４表に指定）を、いずれの場合も３００ｍＬのオートクレーブに投入した。これに続いて、窒素で不活性化し、１００℃に加熱した。次いで、この温度で水素を１００バールの圧力になるまで注入し、内圧が低下したら再度所望の圧力に戻した。水素の注入から測定した２４時間が経過したら、試料を取り出し、ガスクロマトグラフィにより分析した。結果を以下の第１４表に報告する。]
[0142] ]
[0143] Ｘ．一般的方法Ｊ：イミンの合成
イミン（シッフ塩基）は、Ｃｈａｒｌｅｓ ｅｔ ａｌ．，Ｂｕｌｌ．Ｓｏｃ．Ｃｈｉｍ．Ｆｒ．１９７０，１２，４４３９−４４４６の改変方法で合成することができる。]
[0144] 最初に、（１−フェニルエチル）アミンの鏡像異性体１．２５等量とｐ−トルエンスルホン酸を含有するトルエン０．０１等量をケトンに投入する。形成される反応水を共沸蒸留により連続除去する。さらなる転化がガスクロマトグラフィにより認められなくなったら、溶媒を抜き取り、生成物を分別蒸留により精製する。]

权利要求:

請求項1
式Ｉのキラルイミンを式ＩＩのアミンに［式中、Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ3−Ｃ6−シクロアルキル、Ｃ2−Ｃ6−アルケニル、Ｃ2−Ｃ6−アルキニル、Ｃ2−Ｃ6−ハロアルケニル、Ｃ2−Ｃ6−ハロアルキニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、Ｃ3−Ｃ6−アルケニルオキシカルボニル、Ｃ3−Ｃ6−アルキニルオキシカルボニル、アミノカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノカルボニル、Ｃ3−Ｃ6−アルケニルアミノカルボニル、Ｃ3−Ｃ6−アルキニルアミノカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルキルスルホニルアミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ3−Ｃ6−アルケニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ3−Ｃ6−アルキニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ3−Ｃ6−アルケニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ3−Ｃ6−アルキニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）アミノカルボニル、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノチオカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノチオカルボニル、またはＣ1−Ｃ6−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルキル（ここで、前記アルキル基、シクロアルキル基およびアルコキシ基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／または以下の基（すなわち、シアノ、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ3−Ｃ6−シクロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルチオ、アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニルアミノ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキルアミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノカルボニル、またはＣ1−Ｃ4−アルキルカルボニルオキシ）の内の１〜３個を担持してもよい）、アリール、アリール−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−アルキニル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−ハロアルケニル、アリール−Ｃ3−Ｃ4−ハロアルキニル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、アリールカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールスルフィニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルキニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−ハロアルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ3−Ｃ4−ハロアルキニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、ヘテロシクリルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル−カルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルフィニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル（ここで、前記基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、ヒドロキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルキル、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ6−ヒドロキシアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、ヒドロキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、アミノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルスルホニルアミノ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキルスルホニルアミノ、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニルアミノ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよい）であり（但し、Ｒ1基およびＲ2基は互いに異なる）；Ｒ3はＣ1−Ｃ6−アルキルであり；Ｒ4は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ6−ヒドロキシアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよいアリールであり；ならびに＊はＳまたはＲ立体配置を表し、および＊＊はＳおよび／またはＲ立体配置を表す］、式Ｉのイミンを水素および不均一銅含有触媒の存在下で転化することにより、ジアステレオ選択的に転化する方法。
請求項2
前記不均一銅含有触媒が、触媒の全質量に対して、銅を０．１〜９５質量％；ニッケル、コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも１種の金属を０．１〜８５質量％；鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜１５質量％（但し、質量％の合計は１００％を超えない）含む、請求項１に記載の方法。
請求項3
前記銅含有触媒が担体物質を含む、請求項１または２記載の方法。
請求項4
前記不均一銅含有触媒が、担体物質として、炭素、あるいは酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、アルミノ珪酸塩、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、酸化マグネシウムまたはこれらの混合物からなる群から選択される多孔質金属酸化物を含む、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
請求項5
前記銅含有触媒が非担持触媒である、請求項１または２記載の方法。
請求項6
前記反応が溶媒の存在下または物質内で行われる、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
請求項7
前記反応が標準圧力から２００バールまでで行われる、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
請求項8
前記反応が室温から反応混合物の還流温度までで行われる、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
請求項9
Ｒ3がＣ1−Ｃ4−アルキルであり、Ｒ4は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよいアリールである、請求項１から８までのいずれか１項に記載の方法。
請求項10
Ｒ1、Ｒ2がそれぞれ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ3−Ｃ6−シクロアルキル、Ｃ2−Ｃ6−アルケニル、Ｃ2−Ｃ6−アルキニル、Ｃ2−Ｃ6−ハロアルケニル、Ｃ2−Ｃ6−ハロアルキニル、またはＣ1−Ｃ6−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルキル（ここで、前記アルキル基、シクロアルキル基およびアルコキシ基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／または以下の基（すなわち、シアノ、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ3−Ｃ6−シクロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルチオ、アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ）の内の１〜３個を担持してもよい）、アリール、アリール−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−アルキニル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−ハロアルケニル、アリール−Ｃ3−Ｃ4−ハロアルキニル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、アリールカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、カルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールスルフィニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルキニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−ハロアルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ3−Ｃ4−ハロアルキニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、ヘテロシクリルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルフィニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル（ここで、前記基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ6−ヒドロキシアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、アミノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルスルホニルアミノ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキルスルホニルアミノ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を担持してもよい）である、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
請求項11
式ＩＩのアミンを製造する方法であって、式ＩＩＩのケトンを式ＩＶのアミンと［式中、Ｒ1〜Ｒ4基および＊はそれぞれ、請求項１、９または１０に記載の通りである］反応させることによって、式Ｉのイミンを製造する方法。
請求項12
式Ｉのイミンが、酸、あるいは酸化アルミニウム、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、酸化ケイ素および粘土鉱物ならびにこれらの混合物からなる群から選択される不均一触媒の存在下で製造される、請求項１１に記載の方法。
請求項13
式ＶＩＩＩ［式中、Ｒ1基およびＲ2基ならびに＊＊はそれぞれ、請求項１、９または１０に記載の通りである］のキラルアミンを製造する方法であって、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法で得られる式ＩＩのアミンが、水素化分解により開裂されることを特徴とする、式ＶＩＩＩのキラルアミンを製造する方法。
請求項14
前記水素化分解が、白金族金属元素の群から選択される不均一触媒の存在下で、水素により行われる、請求項１３に記載の方法。
請求項15
前記水素化分解が、金属水素化物、または金属水素化物の混合物により行われる、請求項１３に記載の方法。
請求項16
前記または前提となる方法段階が、連続的、半連続的または非連続的に行われる、請求項１から１５までのいずれか１項に記載の方法。
請求項17
キラルイミンをジアステレオ選択的に転化するための、請求項１〜１６に記載の不均一銅含有触媒の使用であって、前記キラルイミンの親アミンが水素を有するキラルであり、前記キラルイミンの親ケトンが水素を有するプロキラルである、使用。